TOSHIBA
MOSFET
东芝提供采用各种电路配置和封装的低VDSS和中／高VDSS MOSFET丰富组合，其特点是高速度、高性能、低损耗、低导通电阻、小封装等。
东芝在MOSFET的开发和制造方面拥有数十年的经验。其主要产品包括中高压DTMOS系列（VDSS为500V~800V）和低电压U-MOS系列（VDSS为12V~250V）。
SiC功率器件
与硅（Si）相比，碳化硅（SiC）是一种介电击穿强度更大、饱和电子漂移速度更快且热导率更高的半导体材料。因此，与硅器件相比，当用于半导体器件中时，碳化硅器件可以提供高耐压、高速开关和低导通电阻。鉴于该特性，其将成为有助于降低能耗和缩小系统尺寸的下一代低损耗器件。
IGBT/IEGT
绝缘栅双极晶体管（IGBT）和门级注入增强型晶体管（IEGT）是通过与MOSFET相同的方式控制栅极和发射极之间的电压，接通和关断集电极和发射极之间电源的器件。
东芝IGBT和IEGT可以用于家用电器及基础设施的各种应用。
隔离器/固态继电器
东芝的隔离器／固态继电器产品种类包括光耦、固态继电器和光纤传输模块。东芝的光耦有助于提高安全性，降低功耗和缩小终端产品的尺寸。
二极管
东芝提供丰富的二极管组合，包括高速、低损耗肖特基二极管（SBD）和高速信号线用TVS二极管（ESD保护二极管）。
因采用了碳化硅（SiC），SiC肖特基二极管（SBD） 能提供使用Si肖特基二极管时无法实现的高击穿电压。SiC SBD是低损耗、高效率的电源转换应用的理想选择，比如服务器电源和太阳能调节器。
双极晶体管
东芝提供广泛丰富的双极晶体管，适用于包括射频（RF）和电源设备在内的各种应用。
微控制器
东芝利用长期积累的经验和卓越的技术，提供具有高质量存储器、精密和低功耗混合信号组件的通用和特定应用的MCU（例如电机控制和连接），以及适用于家用电器、医疗保健设备、加热和冷却系统以及工业设备等应用的封装的丰富外围设备选项。东芝MCU系列之间可以共享软件和电路板设计，并且支持系统到位以促进客户产品和应用程序的开发，从而降低开发成本和缩短开发周期。
